ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF THE INTERFACE BETWEEN LASER-RECRYSTALLIZED POLYCRYSTALLINE SILICON AND THE UNDERLYING INSULATOR

被引：7

作者：

LE, HP ^{[1
]}

LAM, HW ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTRUMENTS INC,CENT RES LABS,DALLAS,TX 75265

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1982年 / 3卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1982.25522

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：161 / 163

页数：3

共 6 条

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