BAND-GAP NARROWING IN HIGHLY DOPED N-TYPE AND P-TYPE GAAS STUDIED BY PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY

被引:166
作者
BORGHS, G
BHATTACHARYYA, K
DENEFFE, K
VANMIEGHEM, P
MERTENS, R
机构
关键词
D O I
10.1063/1.343958
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:4381 / 4386
页数:6
相关论文
共 20 条