THE ANNEALING OF HELIUM-INDUCED CAVITIES IN SILICON AND THE INHIBITING ROLE OF OXYGEN

被引:61
作者
EVANS, JH [1 ]
VANVEEN, A [1 ]
GRIFFIOEN, CC [1 ]
机构
[1] DELFT UNIV TECHNOL,INST INTERUNIV REACTOR,NL-2629 JB DELFT,NETHERLANDS
关键词
D O I
10.1016/0168-583X(87)90176-5
中图分类号
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要
引用
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页码:360 / 363
页数:4
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