TRANSIENT HARDENED POWER FETS

被引：7

作者：

DAWES, WR

FISCHER, TA

HUANG, CCC

MEYER, WJ

SMITH, CS

BLANCHARD, RA

FORTIER, TJ

机构：

[1] MA COM PHI INC,TORRANCE,CA 90501

[2] SILICONIX INC,SANTA CLARA,CA 95054

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1986.4334617

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1425 / 1427

页数：3

共 4 条

[1]

JOPSONSCOTT DM, 1985, NEUTRON IRRADIATION, V32, P3961

[2] HIGH INJECTION IN EPITAXIAL TRANSISTORS [J].

POON, HC ;

GUMMEL, HK ;

SCHARFETTER, DL .

[3] DEVELOPMENT OF A RADIATION HARD N-CHANNEL POWER MOSFET [J].

ROPER, GB ;

LOWIS, R .

[4] CURRENT INDUCED AVALANCHE IN EPITAXIAL STRUCTURES [J].

WROBEL, TF ;

COPPAGE, FN ;

HASH, GL ;

SMITH, AJ .