学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
FLAT BAND STATE DETERMINATION OF MIS AND SCHOTTKY INTERFACES BY MODULATED PHOTO-LUMINESCENCE METHOD
被引:6
作者
:
ANDO, K
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
ANDO, K
YAMAGUCHI, M
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
YAMAGUCHI, M
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1981年
/ 20卷
/ 07期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.20.1335
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
收藏
页码:1335 / 1336
页数:2
相关论文
共 3 条
[1]
BIAS-DEPENDENT PHOTO-LUMINESCENCE INTENSITIES IN N-INP SCHOTTKY DIODES
[J].
ANDO, K
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
ANDO, K
;
YAMAMOTO, A
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
YAMAMOTO, A
;
YAMAGUCHI, M
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
YAMAGUCHI, M
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1980,
51
(12)
:6432
-6434
[2]
ANDO K, 1981, JPN J APPL PHYS, V20
[3]
INVESTIGATION OF THERMALLY OXIDISED SILICON SURFACES USING METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR STRUCTURES
[J].
GROVE, AS
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GROVE, AS
;
DEAL, BE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
DEAL, BE
;
SNOW, EH
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SNOW, EH
;
SAH, CT
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SAH, CT
.
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1965,
8
(02)
:145
-+
←
1
→
共 3 条
[1]
BIAS-DEPENDENT PHOTO-LUMINESCENCE INTENSITIES IN N-INP SCHOTTKY DIODES
[J].
ANDO, K
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
ANDO, K
;
YAMAMOTO, A
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
YAMAMOTO, A
;
YAMAGUCHI, M
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
YAMAGUCHI, M
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1980,
51
(12)
:6432
-6434
[2]
ANDO K, 1981, JPN J APPL PHYS, V20
[3]
INVESTIGATION OF THERMALLY OXIDISED SILICON SURFACES USING METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR STRUCTURES
[J].
GROVE, AS
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GROVE, AS
;
DEAL, BE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
DEAL, BE
;
SNOW, EH
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SNOW, EH
;
SAH, CT
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SAH, CT
.
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1965,
8
(02)
:145
-+
←
1
→