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P-N-JUNCTIONS IN POLYCRYSTALLINE-SILICON FILMS
被引:54
作者
:
MANOLIU, J
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0
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0
MANOLIU, J
KAMINS, TI
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KAMINS, TI
机构
:
来源
:
SOLID-STATE ELECTRONICS
|
1972年
/ 15卷
/ 10期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0038-1101(72)90169-4
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:1103 / &
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SILICON GATE TECHNOLOGY
FAGGIN, F
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KLEIN, T
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[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1970,
13
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-
&
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[3]
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KAMINS, TI
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KAMINS, TI
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1971,
42
(11)
: 4357
-
&
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EFFECTS OF DEEP IMPURITIES ON N+P JUNCTION REVERSE-BIASED SMALL-SIGNAL CAPACITANCE
SCHIBLI, E
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1968,
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-
+
[6]
SPADEA G, 1971, OCT IEEE INT EL DEV
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