STRUCTURE AND COMPOSITION OF SILICON-OXIDES GROWN IN HCL-O2 AMBIENTS

被引：1

作者：

LIN, SS

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2129179

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1081 / 1082

页数：2

共 6 条

[1]

CHAMBERS WS, 1960, J CHEM SOC, P5088

[2] MASS-SPECTROMETRIC STUDIES OF NITRIDATION OF SILICON [J].

LIN, SS .

LIN, SS .

[4]

LIN SS, 1976, J ELECTROCHEM SOC, V123, P511

MONKOWSKI, J ;

TRESSLER, RE ;

STACH, J .

[6]

1959, GMELINS HDB ANORGANI