CHARACTERIZATION OF POLISHED (111) SILICON CRYSTAL-SURFACE BY DIFFUSE-X-RAY SCATTERING

被引：12

作者：

YASUAMI, S ^{[1
]}

HARADA, J ^{[1
]}

机构：

[1] NAGOYA UNIV,FAC ENGN,DEPT APPL PHYS,CHIKUSA KU,NAGOYA,AICHI 464,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.329206

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3989 / 3991

页数：3

共 4 条

[1] FORMATION AND NATURE OF SWIRL DEFECTS IN SILICON [J].

FOLL, H ;

KOLBESEN, BO .

APPLIED PHYSICS, 1975, 8 (04) :319-331

HARADA, J ;

WAKAMATSU, K ;

YASUAMI, S .

[3]

PETOFF PM, 1975, J CRYST GROWTH, V30, P117

YASUAMI, S ;

HARADA, J ;

WAKAMATSU, K .