ANOMALOUS DEPENDENCE OF THRESHOLD CURRENT ON STRIPE WIDTH IN GAIN-GUIDED STRAINED-LAYER INGAAS GAAS QUANTUM WELL LASERS

被引：32

作者：

SHIEH, C

MANTZ, J

LEE, H

ACKLEY, D

ENGELMANN, R

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1989年 / 54卷 / 25期

关键词：

D O I：

10.1063/1.101081

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2521 / 2523

页数：3

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共 11 条

[11] ANOMALOUS TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THRESHOLD FOR THIN QUANTUM-WELL ALGAAS DIODE-LASERS [J].

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APPLIED PHYSICS LETTERS, 1986, 49 (01) :16-18