HYSTERESIS IV EFFECTS IN SHORT-CHANNEL SILICON MOSFETS

被引：22

作者：

BOUDOU, A

DOYLE, BS

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1987.26638

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：300 / 302

页数：3

共 7 条

[1]

AKOA M, 1987, IEEE T ELECTRON DEVI, V34, P8

[2]

BREWS JR, 1977, IEEE T ELECTRON DEV, V24, P1108, DOI 10.1109/T-ED.1977.18885

DOYLE, BS ;

BOURCERIE, M ;

MARCHETAUX, JC ;

BOUDOU, A .

MULLER, W ;

RISCH, L ;

SCHUTZ, A .

[5] VLSI LIMITATIONS FROM DRAIN-INDUCED BARRIER LOWERING [J].

TROUTMAN, RR .

TROUTMAN, RR .

[7]

[No title captured]