ELECTRON TRAPS FORMED IN GALLIUM-DOPED GERMANIUM BY ELECTRON IRRADIATION

被引：3

作者：

FUKUOKA, N

SAITO, H

HATTORI, H

CRAWFORD, JH

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1709086

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：4098 / &

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共 5 条

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