MEASUREMENTS OF THE RATIO BETWEEN PLANAR AND RANDOM STOPPING POWER FOR 80 TO 300 KEV PROTONS IN SILICON

被引：16

作者：

KUHRT, E

TAUBNER, F

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1980年 / 61卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210610224

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：513 / 519

页数：7

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共 16 条

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