DENSITY OF STATES IN METAL-SEMICONDUCTOR TUNNELING

被引：43

作者：

MAHAN, GD

CONLEY, JW

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1967年 / 11卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1754947

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：29 / &

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