HEAVY-METAL CONTAMINATION DURING INTEGRATED-CIRCUIT PROCESSING - MEASUREMENTS OF CONTAMINATION LEVEL AND INTERNAL GETTERING EFFICIENCY BY SURFACE PHOTOVOLTAGE

被引：26

作者：

JASTRZEBSKI, L ^{[1
]}

机构：

[1] DAVID SARNOFF RES CTR,CN 5300,PRINCETON,NJ 08543

来源：

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY | 1989年 / 4卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0921-5107(89)90226-2

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：113 / 121

页数：9

共 29 条

[1]

BERGHOLZ W, 1987, SIEMENS FORSCH ENTW, V16, P241

[2]

FUNG MS, 1980, 157TH EL SOC M ST LO, V80, P444

[3]

FUNG MS, 1988, 173RD EL SOC M ATL, V269, P88

GOODMAN, AM .

GOODMAN, AM .

[6]

GOODMAN AM, 1983, RCA REV, V44, P326

[7]

GOODMAN AM, 1980, 1980 INT EL DEV M WA, P231

[8]

GOODMAN AM, 1979, ANNUAL BOOK ANSI 43, P770

HU, SM .

JASTRZEBSKI, L ;

LAGOWSKI, J .