YTTRIUM-OXIDE SILICON DIOXIDE - A NEW DIELECTRIC STRUCTURE FOR VLSI ULSI CIRCUITS

被引：89

作者：

MANCHANDA, L

GURVITCH, M

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1988年 / 9卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1109/55.682

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：180 / 182

页数：3

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共 6 条

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