COMMENT ON ENGINEERED SCHOTTKY-BARRIER DIODES FOR THE MODIFICATION AND CONTROL OF SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS

被引：9

作者：

HORVATH, ZJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.341215

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：443 / 444

页数：2

共 3 条

EGLASH, SJ ;

NEWMAN, N ;

PAN, S ;

MO, D ;

SHENAI, K ;

SPICER, WE ;

PONCE, FA ;

COLLINS, DM .

[2] GAAS SCHOTTKY VARACTORS FOR LINEAR FREQUENCY TUNING IN X-BAND [J].

HORVATH, ZJ ;

GYURO, I ;

NEMETHSALLAY, M ;

SZENTPALI, B ;

KAZI, K .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1986, 94 (02) :719-726

[3]

SZE SM, 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO, pCH5