EPITAXIAL GROWTH OF SILICON BY VACUUM EVAPORATION

被引:24
作者
UNVALA, BA
机构
关键词
D O I
10.1038/194966a0
中图分类号
O [数理科学和化学]; P [天文学、地球科学]; Q [生物科学]; N [自然科学总论];
学科分类号
07 ; 0710 ; 09 ;
摘要
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页码:966 / &
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共 3 条
[1]  
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