学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审

ELECTRONIC-PROPERTIES OF AMORPHOUS SIXGE1-X-H-FILMS

被引：50
作者：
HAUSCHILDT, D
FISCHER, R
FUHS, W
机构：
来源：
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH | 1980年 / 102卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1002/pssb.2221020214
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
收藏
页码：563 / 566
页数：4
相关论文
共 8 条
  • [1] PHOTOCONDUCTIVITY AND RECOMBINATION IN DOPED AMORPHOUS SILICON
    ANDERSON, DA
    SPEAR, WE
    [J]. PHILOSOPHICAL MAGAZINE, 1977, 36 (03): : 695 - 712
  • [2] CARLSON DE, 1979, TOPICS APPLIED PHYSI, V36
  • [3] PHOTOLUMINESCENCE IN AMORPHOUS SILICON
    ENGEMANN, D
    FISCHER, R
    [J]. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 1977, 79 (01): : 195 - 202
  • [4] ENGEMANN D, 1978, APPL PHYS LETT, V32, P9
  • [5] DRIFT MOBILITY AND PHOTOCONDUCTIVITY IN AMORPHOUS SILICON
    FUHS, W
    MILLEVILLE, M
    STUKE, J
    [J]. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 1978, 89 (02): : 495 - 502
  • [6] SOME PROPERTIES OF GERMANIUM-SILICON ALLOYS
    JOHNSON, ER
    CHRISTIAN, SM
    [J]. PHYSICAL REVIEW, 1954, 95 (02): : 560 - 561
  • [7] JONES DI, 1979, PHILOS MAG B, V39, P147, DOI 10.1080/13642817908246344
  • [8] ONTON A, 1977, 7TH P INT C AM LIQ S, P357
1