PHOSPHORUS CONCENTRATION PROFILES IN P-DOPED SILICON DIOXIDE MEASURED USING AUGER-SPECTROSCOPY

被引：23

作者：

CHANG, CC ^{[1
]}

ADAMS, AC ^{[1
]}

QUINTANA, G ^{[1
]}

SHENG, TT ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC, MURRAY HILL, NJ 07974 USA

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1974年 / 45卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1662969

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：252 / 256

页数：5

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共 6 条

[1] STRUCTURE AND CHEMISTRY OF SILICON SURFACES AFTER PRESPUTTERING AND BACKSPUTTERING, STUDIED WITH AUGER SPECTROSCOPY, ELLIPSOMETRY, AND RHEED
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