MONOLITHIC INTEGRATION OF INGAAS P-I-N PHOTODETECTOR WITH FULLY ION-IMPLANTED INP JFET AMPLIFIER

被引：34

作者：

KIM, SJ ^{[1
]}

GUTH, G ^{[1
]}

VELLACOLEIRO, GP ^{[1
]}

SEABURY, CW ^{[1
]}

SPONSLER, WA ^{[1
]}

RHOADES, BJ ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T MICROELECTR,READING,PA 19604

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/55.6941

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：3