PHOTOELECTRIC SPECTROSCOPY - NEW METHOD OF ANALYSIS OF IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS

被引:228
作者
KOGAN, SM [1 ]
LIFSHITS, TM [1 ]
机构
[1] ACAD SCI USSR,RADIOENGN & ELECTR INST,MOSCOW,USSR
来源
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1977年 / 39卷 / 01期
关键词
D O I
10.1002/pssa.2210390102
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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