TUNNELING COMPONENT IN POLYSILICON SELF-ALIGNED BIPOLAR-TRANSISTORS

被引：5

作者：

HACKBARTH, E ^{[1
]}

LI, GP ^{[1
]}

CHEN, TC ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1986.22798

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1853 / 1853

页数：1

共 5 条

[1] EXCESS TUNNEL CURRENT IN SILICON ESAKI JUNCTIONS [J].

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[4]

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[5] TUNNELING IN BASE-EMITTER JUNCTIONS [J].

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