SCHOTTKY-BARRIER ELEVATION BY ION-IMPLANTATION AND IMPLANT SEGREGATION

被引：23

作者：

THORNTON, RL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810337

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：485 / 486

页数：2

共 10 条

[1]

BINDELL J, 1980, IEEE T ED, V27

[2]

JOHANESSEN JS, 1978, J APPL PHYS, V49

[3]

Lepselter M. P., 1969, OHMIC CONTACT SEMICO

LI, SS .

[5]

LI SS, 1980, IEEE T ED, V27

SHANNON, JM .

[7]

SHOTT J, COMMUNICATION

[8]

THORNTON RL, 1980, P IEEE ULTRASONICS S

[9] METAL P-N SCHOTTKY-BARRIER DIODES [J].

VANDERZIEL, A .

[10]

WITTMER M, 1978, J APPL PHYS, V49