ETCH RATE CHARACTERIZATION OF BORON-IMPLANTED THERMALLY GROWN SIO2

被引：23

作者：

SCHWETTM.FN ^{[1
]}

DEXTER, RJ ^{[1
]}

COLE, DF ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2403304

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1566 / 1570

页数：5

共 14 条

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