HIGH-CURRENT, PLANAR-DOPED PSEUDOMORPHIC GA0.4IN0.6AS/AL0.48IN0.52AS HEMTS

被引：1

作者：

FATHIMULLA, A

HIER, H

ABRAHAMS, J

机构：

[1] Allied-Signal Aerospace Co,, Columbia, MD, USA, Allied-Signal Aerospace Co, Columbia, MD, USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19880485

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：717 / 718

页数：2

共 6 条

[1]

CHAO PC, 1987, IEDM, P410

[2]

FATHIMULLA A, UNPUB IEEE ELECTRON

[3]

HIER H, UNPUB J ELECTRON MAT

KUO, JM ;

CHANG, TY .

[5] HIGH-PERFORMANCE SUBMICROMETER ALINAS-GAINAS HEMTS [J].

MISHRA, UK ;

BROWN, AS ;

JELLOIAN, LM ;

HACKETT, LH ;

DELANEY, MJ .

WANG, GW ;

CHEN, YK ;

RADULESCU, DC ;

EASTMAN, LF .