OBSERVATION OF RESIDUAL-STRESS AND DEFECTS IN SILICON INDUCED BY SCRIBING

被引：8

作者：

KOTAKE, H

TAKASU, SI

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1007/BF00552100

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：895 / 902

页数：8

共 7 条

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