DC AND MICROWAVE CHARACTERISTICS OF SUB-0.1-MU-M GATE-LENGTH PLANAR-DOPED PSEUDOMORPHIC HEMTS

被引：101

作者：

CHAO, PC

SHUR, MS

TIBERIO, RC

DUH, KHG

SMITH, PM

BALLINGALL, JM

HO, P

JABRA, AA

机构：

[1] UNIV MINNESOTA,DEPT ELECT ENGN,MINNEAPOLIS,MN 55416

[2] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

[3] CORNELL UNIV,NATL NANOFABRICAT FACIL,ITHACA,NY 14853

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.19955

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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