THE STEADY-STATE MODEL FOR COUPLED DEFECT-IMPURITY DIFFUSION IN SILICON

被引：11

作者：

MOREHEAD, FF

LEVER, RF

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.343728

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：5349 / 5352

页数：4

共 15 条

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