A THIN GAAS N ON N+ EPITAXIAL FILM WITH ABRUPT INTERFACE IN CARRIER CONCENTRATION PROFILE

被引：9

作者：

SATO, H

IIDA, S

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1970年 / 9卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.9.156

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：156 / &

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