FACETED DEFECTS IN GAAS EPITAXIAL LAYERS

被引：6

作者：

SHAW, DW

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(72)90010-3

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：249 / &

共 6 条

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