EFFECTIVE MASS ENERGIES OF EXCITONS AND ACCEPTORS IN GAAS AND GASB

被引:4
作者
THANH, D
机构
来源
PHYSICA STATUS SOLIDI | 1970年 / 42卷 / 01期
关键词
D O I
10.1002/pssb.19700420161
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
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[13]  
WRIGHT GB, 1965, B AM PHYS SOC, V10, P369