NEUTRON PRODUCED TRAPPING CENTERS IN JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS

被引:33
作者
GREGORY, BL
NAIK, SS
OLDHAM, WG
机构
关键词
D O I
10.1109/TNS.1971.4326413
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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