A THIN-FILM SPACE-CHARGE-LIMITED TRIODE

被引：9

作者：

ZULEEG, R

KNOLL, P

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1966年 / 54卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1966.5076

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1197 / &

共 7 条

GEURST, JA .

[2] SINGLE-CRYSTAL SILICON ON SAPPHIRE SUBSTRATE [J].

MANASEVIT, HM ;

SIMPSON, WI .

[3] SCHOTTKY BARRIER GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR [J].

MEAD, CA .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS, 1966, 54 (02) :307-&

[4]

RUPPEL W, 1959, RCA REV, V20, P702

VANDERZIEL, A .

[6]

VINE J, 1962, P I ELECTR ENG, VB109, P488

[7] CDS THIN-FILM ELECTRON DEVICES [J].

ZULEEG, R .