LUMINESCENCE OF TRAPS IN ELECTRON-IRRADIATED GALLIUM-DOPED SILICON

被引:11
作者
ELLIOTT, KR [1 ]
机构
[1] MAX PLANCK INST FESTKORPERFORSCH,HOCHFELD MAGNETLABOR,166X,F-38042 GRENOBLE,FRANCE
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1982年 / 25卷 / 02期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.25.1460
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:1460 / 1463
页数:4
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