SELF-CONSISTENT CALCULATION OF ELECTRONIC-STRUCTURE OF SILICON AND GERMANIUM USING INTERSECTING-SPHERES MODEL

被引:18
作者
ANTOCI, S [1 ]
MIHICH, L [1 ]
机构
[1] CNR,NAZL STRUTTURA MAT GRUPPO,PAVIA,ITALY
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1978年 / 17卷 / 04期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.17.1859
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:1859 / 1864
页数:6
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