MOBILITY OF HOT ELECTRONS IN SILICON

被引：1

作者：

LANYON, HPD

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0375-9601(71)90047-8

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：27 / &

共 8 条

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