GROWTH OF SILICON BICRYSTALS BY THE DASH PEDESTAL-METHOD

被引：5

作者：

GERETH, R

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2425238

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1068 / 1070

页数：3

共 15 条

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