INTRODUCTION RATES AND ANNEALING OF DEFECTS IN ION-IMPLANTED SIO2 LAYERS ON SI

被引:111
作者
EERNISSE, EP [1 ]
NORRIS, CB [1 ]
机构
[1] SANDIA LABS,ALBUQUERQUE,NM 87115
关键词
D O I
10.1063/1.1663215
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:5196 / 5205
页数:10
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