中频直流磁控反应溅射法制备掺铝氧化锌薄膜的研究

被引：11

作者：

林清耿 ^{[1
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]}

郜小勇 ^{[1
]}

刘玉芬 ^{[1
]}

卢景霄 ^{[1
]}

机构：

[1] 材料物理教育部重点实验室,郑州大学

[2] 物理工程学院,郑州大学

来源：

真空科学与技术学报 | 2008年 / 06期

关键词：

中频直流反应磁控溅射; 掺铝氧化锌薄膜; c轴择优取向; 吸收边;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

摘要：

利用中频直流磁控反应溅射法(MF-DC-MS)在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、四探针法和分光光度计深入研究了衬底温度对AZO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。研究结果表明3h的沉积使AZO薄膜丧失了(002)c轴择优取向。随着衬底温度由210℃升高到270℃,AZO薄膜的电阻率从7.5×10-3Ω.cm降低到2.5×10-3Ω.cm。高于270℃后,电阻率又略有升高。电阻率的变化趋势可从薄膜微观结构的角度得到合理解释。随着衬底温度的升高,AZO薄膜的吸收边先发生了蓝移。高于270℃后,又发生了红移。利用Burstein-Moss效应分析了AZO薄膜吸收边的蓝移和红移。该结果和电阻率的结果相印证。

引用

页码：566 / 569

页数：4

共 7 条

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