MEMS高g加速度传感器高过载能力的优化研究

被引:16
作者
石云波
李平
朱正强
刘俊
张晓明
机构
[1] 中北大学电子测试技术重点实验室
关键词
MEMS高g加速度传感器; 高过载; Hopkinson杆冲击测试; 倒角; 优化;
D O I
10.13465/j.cnki.jvs.2011.07.021
中图分类号
TP212 [发送器(变换器)、传感器];
学科分类号
080202 ;
摘要
设计的MEMS高g加速度传感器抗高过载能力差,将导致在冲击等恶劣环境中应用时结构易破坏。通过分析传感器结构对其抗过载能力的影响,及在高冲击测试中传感器结构损坏情况的统计,提出了一种新颖的优化高g加速度传感器抗高过载能力的方法。该方法是在结构最易断裂的梁根部和端部添加倒角,以分散在冲击作用下传感器结构这些部位受到的应力,进而提高加速度传感器的高过载能力,并从理论仿真分析了该方法的可行性。最后利用Hopkinson杆测试方法对优化前后的加速度传感器进行冲击测试,测试结果表明,加速度计的抗高过载能力从180 000 g提高到240000 g,说明该优化方法显著,明显提高了该类加速度传感器的抗高过载能力,设计的加速度传感器达到了较理想的抗高过载能力。
引用
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共 4 条
[1]  
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