非晶硅薄膜制备及其晶化特性研究

被引：14

作者：

罗士雨 ^{[1
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冯磊 ^{[1
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汪洪 ^{[2
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林辉 ^{[1
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滕浩 ^{[1
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黄涛华 ^{[1
]}

周圣明 ^{[1
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机构：

[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所

[2] 安徽大学物理与材料科学学院

来源：

人工晶体学报 | 2008年 / 05期

关键词：

磁控溅射; 非晶硅; 多晶硅;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2008.05.028

中图分类号：

O613.72 [硅Si];

学科分类号：

070301 ; 081704 ;

摘要：

用磁控溅射法在K9玻璃上沉积了非晶硅(a-Si)膜和a-Si/Al膜,并将其在流动的N2气氛下进行退火。对退火前后的样品进行Raman光谱、XRD和SEM表征和分析。Raman光谱表明随着退火温度的升高,a-Si膜的散射峰出现了明显的蓝移,但XRD结果表明薄膜仍为非晶态;而a-Si/Al膜在温度很低时就已经开始晶化。

引用

页码：1191 / 1194

页数：4

共 7 条

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