低温快速热退火晶化制备多晶硅薄膜

被引：5

作者：

王红娟

卢景霄

刘萍

王生钊

张宇翔

张丽伟

陈永生

机构：

[1] 郑州大学教育部材料物理重点实验室

来源：

可再生能源 | 2006年 / 03期

关键词：

快速热退火; 非晶硅薄膜; 暗电导;

D O I：

10.13941/j.cnki.21-1469/tk.2006.03.004

中图分类号：

TN304.05 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入特制的快速热退火炉中进行退火。利用X射线衍射仪(XRD)分析退火后的薄膜晶体结构,用电导率测试仪测试其暗电导率。研究结果表明,利用快速热退火晶化能够使非晶硅薄膜在较低温度下,在较短时间内发生晶化。

引用

页码：13 / 15

页数：3

共 4 条

[1] 用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究 [J].

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