掺杂氧化物半导体在复合隐身方面的研究进展

被引：4

作者：

赵印中

许旻

李林

王洁冰

吴春华

何延春

机构：

[1] 兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室

来源：

真空与低温 | 2009年 / 15卷 / 03期

关键词：

掺杂氧化物半导体; 复合隐身; 研究现状;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN972 [干扰];

学科分类号：

080904 ; 0810 ; 081001 ; 081002 ; 081105 ; 0826 ; 082601 ; 1104 ;

摘要：

从掺杂氧化物半导体材料的隐身理论、复合隐身研究方向以及研究进展等方面,介绍了掺杂氧化物半导体在隐身材料方面的研究现状。

引用

页码：178 / 184

页数：7

共 23 条

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