ZnO光电导紫外探测器的制备和特性研究

被引：139

作者：

叶志镇

张银珠

陈汉鸿

何乐年

邹璐

黄靖云

吕建国

机构：

[1] 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学电机系,浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学硅材料国家重点实验室浙江杭州,浙江杭州,浙江杭州,浙江杭州,浙江杭州,浙江杭州,浙江杭州

来源：

电子学报 | 2003年 / 11期

关键词：

ZnO薄膜; 光电导紫外探测器; 欧姆接触; 光响应度;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN23 [紫外技术及仪器];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

以Si(111)衬底 ,用脉冲激光沉积 (PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜 ,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器 .Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的 .对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明 ,金属铝和ZnO能形成很好的欧姆接触 ,紫外探测器的电阻值在 10 0KΩ左右 .在紫外区域 ,其 5V偏压下的光响应度为0 .5A/W .

引用

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