抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的模拟研究附视频

被引：7

作者：

夏长生

李志锋

王茺

陈效双

陆卫

机构：

[1] 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

来源：

半导体学报 | 2006年 / 01期

关键词：

InGaN/GaN发光二极管; 光子运动轨迹; 外量子效率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

针对发射到衬底中的光子,提出了一种具有抛物线型衬底结构的InGaN/GaN发光二极管,并对平面衬底和抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的光子运动轨迹、发射功率角度分布和外量子效率进行了模拟计算.结果表明相对于平面衬底发光二极管,抛物线型衬底发光二极管可以充分利用发射到衬底中的光子,使其正向光子发射功率增加12.6倍,外量子效率提高1.22倍,同时具有发射准平行光的功能.

引用

页码：100 / 104

页数：5

共 3 条

[1] GaN基发光二极管研究与进展 [J].

徐进 ;

何乐年 .

光电子技术, 2003, (02) :139-142

[2] InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管 [J].

王晓晖 ;

刘祥林 ;

陆大成 ;

袁海荣 ;

韩培德 ;

汪度 .

半导体学报, 2000, (07) :726-728

[3] InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管 [J].

陆大成 ;

韩培德 ;

刘祥林 ;

王晓晖 ;

汪度 ;

袁海荣 ;

王良臣 ;

徐萍 ;

姚文卿 ;

高翠华 ;

刘焕章 ;

葛永才 ;

郑东 .

半导体学报, 2000, (04) :414-416

← 1 →