GaN基发光二极管研究与进展

被引：2

作者：

徐进

何乐年

机构：

[1] 浙江大学信息与电子工程学系

来源：

关键词：

宽禁带半导体; 氮化镓; 发光二极管;

D O I：

10.19453/j.cnki.1005-488x.2003.02.017

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

宽禁带族氮化物基半导体 Ga N是最近研究比较活跃的半导体材料系 ,其高亮度发光二极管一出现即引起广泛的关注 ,并以惊人的速度实现了商品化。文章就 Ga N基半导体二极管的研制和发展概况 ,应用和市场前景 ,以及近期研究热点作了介绍

引用

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页数：4

共 4 条

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