集成电路可靠性电迁移评估技术

被引：4

作者：

江清明

何小琦

杨春晖

周继承

机构：

[1] 信息产业部电子第五研究所

[2] 中南大学物理科学与技术学院

来源：

关键词：

电迁移; 速度漂移; 低频噪声; Trace法; 晶片级;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN406 [可靠性及例行试验];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

随着VLSI集成度的提高,金属化互连线的几何尺寸亦不断缩小,电迁移成为更为严重的可靠性问题,电迁移评估技术也越来越多。本文全面地总结了各种电迁移评估技术。

引用

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页数：3

共 4 条

[1] 多晶硅加热法评价金属互连线电迁移寿命 [J].

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[3]

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