电子封装用陶瓷基片材料的研究进展

被引：29

作者：

张兆生

卢振亚

陈志武

机构：

[1] 华南理工大学材料学院

来源：

材料导报 | 2008年 / 11期

关键词：

电子封装; 陶瓷基片; 共烧; 流延;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN604 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

简要介绍了电子封装发展情况及其对基片材料的性能要求,分析了陶瓷基片作为封装材料性能上的优点,概述了几种常用陶瓷基片材料的优缺点及其应用:Al2O3作为传统的陶瓷基片材料,优点是成熟的工艺和低廉的价格,但热导率不高;BeO、BN、SiC等都具有高热导率,在某些封装场合是合适的选择;AlN综合性能最好,是最有希望的电子封装陶瓷基片材料。介绍了多层陶瓷基片材料的共烧技术和流延成型技术,并指出LTCC技术和水基流延将是未来发展的重点。

引用

页码：16 / 20

页数：5

共 10 条

[1] 电子封装陶瓷基片材料研究现状 [J].

郝洪顺 ;

付鹏 ;

巩丽 ;

王树海 .

陶瓷, 2007, (05) :24-27

[2] 先进电子封装技术与材料 [J].

黄文迎 ;

周洪涛 .

精细与专用化学品, 2006, (16) :1-5

[3] 高体积分数电子封装用铝基复合材料性能研究 [J].

修子扬 ;

张强 ;

武高辉 ;

宋美慧 ;

朱德志 .

电子与封装, 2006, (02) :16-19

[4]

功能陶瓷材料[M]. 化学工业出版社 , 曲远方主编, 2003

[5]

Boron nitride finds new applications in thermoplastic compounds[J] . Chandrashekar Raman,Paulo Meneghetti.Plastics, Additives and Compounding . 2008 (3)

[6] Low-temperature sintering of high-density aluminium nitride ceramics without additives at high pressure [J].

Li, X. L. ;

Ma, H. A. ;

Zuo, G. H. ;

Liu, W. Q. ;

Zheng, Y. J. ;

Li, J. G. ;

Li, S. S. ;

Jia, X. .

SCRIPTA MATERIALIA, 2007, 56 (12) :1015-1018

[7]

AlN ceramics prepared by high-pressure sintering with La 2 O 3 as a sintering aid[J] . X.L. Li,H.A. Ma,Y.J. Zheng,Y. Liu,G.H. Zuo,W.Q. Liu,J.G. Li,X. Jia.Journal of Alloys and Compounds . 2007 (1)

[8]

Dielectric properties of sintered aluminum nitride[J] . Shoichi Kume,Masaki Yasuoka,Naoki Omura,Koji Watari.International Journal of Refractory Metals and Hard Materials . 2005 (4)

[9] Microstructural characterization of high-thermal-conductivity SiC ceramics [J].

Nakano, H ;

Watari, K ;

Kinemuchi, Y ;

Ishizaki, K ;

Urabe, K .

JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY, 2004, 24 (14) :3685-3690

[10] Thermal conductivity of AlN ceramics sintered with CaF2 and YF3 [J].

Qiao, L ;

Zhou, HP ;

Fu, RL .

CERAMICS INTERNATIONAL, 2003, 29 (08) :893-896

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