纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变

被引：1

作者：

鲍忠兴

何宇亮

王卫乡

柳翠霞

陈伟

机构：

[1] 中国科学院物理研究所

[2] 中国科学院国际材料物理中心

[3] 中国科学院半导体材料科学开放实验室

[4] 北京航空航天大学

[5] 华南师范大学

来源：

高压物理学报 | 1999年 / 02期

关键词：

纳米晶Si,电阻,电容,金属化相变;

D O I：

暂无

中图分类号：

O738,O738 [];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为１５～１８ｎｍ和８０ｎｍ的纳米晶Ｓｉ在室温下、２４ＧＰａ内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明，它们分别在１９～１７ＧＰａ和１４ＧＰａ左右发生了金属化相变

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共 2 条

[1] CuO在高压下的状态方程、电学性质与相变 [J].

鲍忠兴 ;

程开甲 ;

赵昌森 ;

程漱玉 ;

柳翠霞 ;

蔡宗义 ;

李焰 .

高压物理学报, 1998, (04) :15-18

[2] GaP、Si和Ge在高压下的金属化相变及其测定方法 [J].

鲍忠兴 ;

张芝婷 ;

俞汀南 ;

不详 .

科学通报 , 1984, (14) :846-849