氧化对反应烧结碳化硅陶瓷断裂强度的影响

被引：8

作者：

黄清伟

吕振林

高积强

金志浩

机构：

[1] 西安交通大学材料科学与工程学院

来源：

兵器材料科学与工程 | 2000年 / 01期

关键词：

反应烧结碳化硅; 高温氧化; 断裂强度;

D O I：

10.14024/j.cnki.1004-244x.2000.01.009

中图分类号：

TQ174.758 [];

学科分类号：

080503 ;

摘要：

研究了在1300℃空气中的高温氧化对反应烧结碳化硅陶瓷室温断裂强度的影响。结果表明:反应烧结碳化硅陶瓷的室温断裂强度随氧化时间增加呈现出先升后降的变化趋势,当氧化225h时,材料的室温断裂强度最高,达334MPa。研究认为,试样表面非晶态SiO2的晶化以及氧化膜起裂是造成材料室温断裂强度变化的原因。

引用

页码：46 / 49

页数：4

共 6 条

[1] 氧化对反应烧结碳化硅陶瓷断裂强度的影响 [J].

黄清伟 ;

吕振林 ;

高积强 ;

金志浩 .

兵器材料科学与工程, 2000, (01) :46-49

[2] FLEXURAL STRENGTH OF LAPPED AND OXIDIZED SILICONIZED SILICON-CARBIDE [J].

TOMLINSON, WJ ;

KHELA, S ;

JASPER, CA ;

MATTHEWS, SJ .

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1992, 27 (12) :3372-3378

[3] EFFECT OF ADDITIVES ON SOME PROPERTIES OF SILICON OXYNITRIDE CERAMICS [J].

OHASHI, M ;

KANZAKI, S ;

TABATA, H .

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1991, 26 (10) :2608-2614

[4] MICROSTRUCTURE AND MECHANICAL-PROPERTIES OF RB-SIC MOSI2 COMPOSITE [J].

LIM, CB ;

YANO, T ;

ISEKI, T .

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1989, 24 (11) :4144-4151

[5]

Strength variations of reaction-sintered SiC heterogeneously containing fine-grained β -SiC[J] . Chang-Bin Lim,Takayoshi Iseki.Journal of Materials Science . 1988 (9)

[6] THE FABRICATION OF O'-SIALON CERAMICS BY PRESSURELESS SINTERING [J].

TRIGG, MB ;

JACK, KH .

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1988, 23 (02) :481-487

← 1 →